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HVMOS
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。
基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。-
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商品描述
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。
基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
| ICM Product ID | Process | Tye | BVDSS@1mA(V) | ID(A) | BVGS(V) | Ron(mR@Vgs=10V) | Package | 规格书 | |
| Typ | Max | ||||||||
| CMW60R030DFD | EPI-SJ | FRD | 600 | 80 | ±30 | 26 | 30 | TO247 | 下载 |
| CMW65R041DFD | EPI-SJ | FRD | 650 | 70 | ±30 | 35 | 41 | TO247 | 下载 |
| CMW60R070DFD | EPI-SJ | FRD | 600 | 56 | ±30 | 65 | 70 | TO247 | 下载 |
| CMW60R110DFD | EPI-SJ | FRD | 600 | 30 | ±30 | 101 | 110 | TO247 | 下载 |
| CMP60R110DFD | EPI-SJ | FRD | 600 | 30 | ±30 | 101 | 110 | TO220 | 下载 |
| CMB60R110DFD | EPI-SJ | FRD | 600 | 30 | ±30 | 101 | 110 | TO263 | |
| CMP65R120DFD | EPI-SJ | FRD | 650 | 30 | ±30 | 108 | 120 | TO220 | 下载 |
| CMW65R120DFD | EPI-SJ | FRD | 650 | 30 | ±30 | 108 | 120 | TO247 | 下载 |
| CMD65R550D | EPI-SJ | - | 650 | 7 | ±30 | 550 | 700 | TO252 | |
| CMD65R800D | EPI-SJ | - | 650 | 5 | ±30 | 800 | 1000 | TO252 | |
| CMD65R1100D | EPI-SJ | - | 650 | 4 | ±30 | 1100 | 1300 | TO252 | |
| CMD65R1500D | EPI-SJ | - | 650 | 3 | ±30 | 1500 | 1600 | TO252 | |
| CMD5N50VFDD | Planar | FRD | 500 | 3 | ±30 | 2.5 | 3 | TO252 | 下载 |
| CMD5N50VFDC | Planar | FRD | 500 | 4 | ±30 | 2.2 | 2.6 | TO252 | 下载 |
| CMD5N50VFDB | Planar | FRD | 500 | 5 | ±30 | 1.6 | 2.2 | TO252 | 下载 |
| CMD5N50VFD | Planar | FRD | 500 | 5 | ±30 | 1.25 | 1.5 | TO252 | 下载 |
| CMD5N25VFD | Planar | FRD | 250 | 5 | ±20 | 0.9 | 1.1 | TO252 | |
